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    3. EN

      M3i-低飽和壓降型 IGBT 分立器件

      產品特性:

      采用Trench+Fieldstop技術;

      軟開通特性,開通 di/dt 小,EMI 低;

      低飽和壓降,導通損耗??;

      關斷拖尾電流小,軟關斷特性;

      正溫度系數,適合并聯;

      高的短路電流能力(6us以上);

      開關速度快,開關損耗??;

      TVj max 達175℃;

      Type VCES
      (V)
      IC nom
      (A)
      VCE (sat)
      (V)
      Ptot
      (W)
      Eoff
      (mJ)
      RthJC
      (℃/W)
      Packages PDF資料
      MM15GT120B 1200 15 1.85 230 0.9 0.65 TO-247 預覽     下載
      MM40G3T120B 1200 40 1.90 405 2.8 0.37 TO-247 預覽     下載
      MM25G3T120B 1200 25 1.8 306 1.8 0.49 TO-247 預覽     下載

      應用領域

      變頻器

      伺服驅動器

      不間斷電源

      光伏逆變器

      電動汽車

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